三星作为存储领域的第一大厂商及晶圆代工领域的第二大厂，一直与英伟达有着紧密的合作。继通用型DRAM、HBM、以及晶圆代工领域建立合作关系后，三星与英伟达进一步扩大合作范围，延伸到了NAND闪存领域。

据Wccftech报道，随着AI服务器出货规模扩大，需要更多地处理上下文数据（Key-Value cache，即KV缓存），已经开始形成了瓶颈，为此英伟达打算通过上下文存储（Context Memory Storage，即CMX）来缓解这一问题，这也是三星所擅长的地方。

目前英伟达用于AI服务器的CMX需要576块SSD，容量达到了9600TB。有业内人士预计，2026年CMX需要的总容量约为3500万TB，2027年将继续大幅上涨，达到1亿TB以上。作为全球第一大NAND闪存芯片制造商，三星今年的产量将达到2.5亿TB，英伟达自然找上了三星作为主要供应商。

三星已经向英伟达大批量供应第9代V-NAND闪存，另外也在推动第10代V-NAND闪存的量产。第9代V-NAND闪存的层数达到了286层，预计第10代V-NAND闪存将提升至400层以上。三星已建成的V-NAND闪存生产线每月产能超过10万片晶圆，其中60%分配给了第9代V-NAND闪存，良品率也达到了80%以上，是现阶段的主力产品。

双方的合作也加快了第11代V-NAND闪存开发的步伐，三星已经启动了试产工作，预计层数最高可至500层。